[发明专利]一种加厚压焊块的制作方法有效
| 申请号： | 201110432344.6 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103177973A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王焜;潘光燃;张立荣 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种压焊块的制作方法，属于半导体芯片制造工艺技术领域。本发明可以解决在加厚压焊块时容易损坏金属熔丝的问题。本发明通过将现有技术中的钝化层工艺分为两步进行，使得在加厚压焊块时，金属熔丝受到第一钝化层的保护，使得在加厚压焊块的同时保护了金属熔丝，而且进一步可以实现两步工艺形成的钝化层和现有技术中的钝化层的厚度一样。工艺简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加厚 压焊块 制作方法 | ||
【主权项】：
一种加厚压焊块的制作方法，应用在一待处理芯片中，其特征在于，所述方法包括：在所述待处理芯片的第一钝化层上开与所述待处理芯片包含的至少两个第一压焊块位置对应的至少两个第一窗口；在所述至少两个第一压焊块上形成至少两个第二压焊块；以及在所述第一钝化层上的第二钝化层和所述第一钝化层上开至少一个第二窗口，所述至少一个第二窗口中的每个第二窗口分别位于所述至少两个第二压焊块中的每两个第二压焊块之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
