[发明专利]含碳薄膜的宽度减小方法及氧化装置有效
| 申请号： | 201110430826.8 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610518A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 佐藤润;长谷川雅之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供含碳薄膜的宽度减小方法及氧化装置。该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序：输入工序，其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入；宽度减小工序，其用于一边向处理容器内供给水分一边利用氧化气体对含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面，由此，使图案的凸部的宽度减小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 宽度 减小 方法 氧化 装置 | ||
【主权项】：
一种含碳薄膜的宽度减小方法，其特征在于，该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序：输入工序，其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入；宽度减小工序，其用于一边向上述处理容器内供给水分一边利用氧化气体对上述含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面，由此，使上述图案的凸部的宽度减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
