[发明专利]含碳薄膜的宽度减小方法及氧化装置有效
申请号: | 201110430826.8 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN102610518A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 佐藤润;长谷川雅之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/311;G03F7/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 宽度 减小 方法 氧化 装置 | ||
1.一种含碳薄膜的宽度减小方法,其特征在于,
该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序:
输入工序,其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入;
宽度减小工序,其用于一边向上述处理容器内供给水分一边利用氧化气体对上述含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面,由此,使上述图案的凸部的宽度减小。
2.一种含碳薄膜的宽度减小方法,其特征在于,
该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序:
输入工序,其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入;
水分供给工序,其用于向上述处理容器内供给水分;
宽度减小工序,其用于利用氧化气体对上述含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面,由此,使上述图案的凸部的宽度减小。
3.一种含碳薄膜的宽度减小方法,其特征在于,
该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序:
输入工序,其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入;
水分供给工序,其用于向上述处理容器内供给水分;
宽度减小工序,其用于一边向上述处理容器内供给水分一边利用氧化气体对上述含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面,由此使上述图案的凸部的宽度减小。
4.根据权利要求1所述的含碳薄膜的宽度减小方法,其特征在于,
上述含碳薄膜由从组中选择的1种膜构成,该组包括抗蚀剂膜、碳膜及反射防止膜。
5.根据权利要求1所述的含碳薄膜的宽度减小方法,其特征在于,
上述氧化气体由含氧气体构成。
6.根据权利要求5所述的含碳薄膜的宽度减小方法,其特征在于,
上述氧化处理是氧气氛中的等离子体氧化。
7.根据权利要求5所述的含碳薄膜的宽度减小方法,其特征在于,
上述氧化处理是氧气氛中的热氧化处理或者臭氧气氛中的热氧化处理。
8.一种氧化装置,其特征在于,
该氧化装置包括:
处理容器,其能够被抽真空;
保持部件,其用于在处理容器内对形成有被图案化了的含碳薄膜的多张被处理体进行保持;
氧化气体供给部件,其用于向上述处理容器内供给氧化气体;
水分供给部件,其用于向上述处理容器内供给水分;
活性化部件,其用于使上述氧化气体活性化;
装置控制部,其用于控制装置整体,使得权利要求1所述的含碳薄膜的宽度减小方法被执行。
9.一种氧化装置,其特征在于,
该氧化装置包括:
处理容器,其能够被抽真空;
保持部件,其用于在处理容器内对形成有被图案化了的含碳薄膜的多张被处理体进行保持;
氧化气体供给部件,其用于向上述处理容器内供给氧化气体;
水分供给部件,其用于向上述处理容器内供给水分;
加热部件,其用于加热上述被处理体;
装置控制部,其用于控制装置整体,使得权利要求1所述的含碳薄膜的宽度减小方法被执行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造