[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 201110429286.1 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103178186A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的两个电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片、封装层以及混合于封装层内的荧光颗粒和扩散粒子。所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径。在所述封装层内，所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片的位置处相比在靠近发光二极管芯片的位置处大，而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片的位置处相比在远离发光二极管芯片的位置处大。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的两个电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片、封装层以及混合于封装层内的荧光颗粒和扩散粒子，其特征在于，所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径，在所述封装层内，所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片的位置处相比在靠近发光二极管芯片的位置处大，而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片的位置处相比在远离发光二极管芯片的位置处大。
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