[发明专利]发光二极管封装结构无效
申请号: | 201110429286.1 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN103178186A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 曾坚信 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体封装结构,特别是指一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管做为第三代光源,具有体积小、节能环保、发光效率高等优点,得到越来越广泛的应用。发光二极管封装结构往往采用蓝光LED芯片加黄光荧光粉产生白光,但是这种结构的发光二极管在照明时,由于外侧光线出光时经过的路径相对较长,使得发光二极管发出的光线呈现外黄内蓝的问题,即通常所称的黄晕现象。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种能够减轻黄晕现象的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构,包括基板、设置于基板上的两个电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片、封装层以及混合于封装层内的荧光颗粒和扩散粒子。所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径。在所述封装层内,所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片的位置处相比在靠近发光二极管芯片的位置处大,而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片的位置处相比在远离发光二极管芯片的位置处大。
该发光二极管封装结构,由于所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径,使得所述扩散粒子相对所述荧光颗粒具有较慢的沉淀速度,从而使得在所述封装层内,所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片一侧较大,而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片一侧较大,因此光线首先经过荧光颗粒进行转换,然后再经过所述扩散粒子进行光线分散,从而提高黄光与蓝光光线的混合均匀性,减轻发光二极管封装结构出射光线的黄晕现象,使得出射的光线色温更加均匀。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。
图2是荧光颗粒的转换效率与粒径大小的关系图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1,本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构10,包括基板11、电极12、发光二极管芯片13、封装层14,荧光颗粒141、扩散粒子142、反射杯15及遮光粒子16。
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