[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 201110429286.1 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103178186A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的两个电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片、封装层以及混合于封装层内的荧光颗粒和扩散粒子，其特征在于，所述扩散粒子的平均粒径小于所述荧光颗粒的平均粒径，在所述封装层内，所述扩散粒子的浓度在远离发光二极管芯片的位置处相比在靠近发光二极管芯片的位置处大，而所述荧光颗粒的浓度在靠近发光二极管芯片的位置处相比在远离发光二极管芯片的位置处大。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述扩散粒子为一种未经活化的荧光材料。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述荧光粉颗粒的平均粒径在10-20微米之间。
4.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括一设置在封装层周围的反射杯。
5.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括设在封装层远离发光二极管芯片的出光表面附近的遮光粒子。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述遮光粒子分布于所述封装层出光表面的中心或四周，或者同时分布于所述封装层出光表面的中心和四周。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述遮光粒子贴附于所述封装层的出光表面。
8.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述遮光粒子位于封装层内部。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于：遮光粒子的平均粒径小于荧光颗粒的平均粒径，遮光粒子在靠近发光二极管芯片位置处的浓度小于远离发光二极管芯片位置处的浓度。
10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于：遮光粒子的平均粒径大于荧光颗粒的平均粒径，遮光粒子在靠近发光二极管芯片位置处的浓度大于远离发光二极管芯片位置处的浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110429286.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
