[发明专利]阻抗式微流控芯片的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110428708.3 申请日: 2011-12-20
公开(公告)号: CN102530834A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 胥飞 申请(专利权)人: 上海电机学院
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽;曾人泉
地址: 200240 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明阻抗式微流控芯片的制作方法,包括以下步骤:①设计掩膜的autocad文件;②将上述文件打印在透明掩膜板上;③将光刻胶甩到硅片上;④将掩膜板盖在光刻胶上光刻显影;⑤得到主模型;⑥涂覆pdms、放置硅管;⑦将pdms模型剥离主模型,将所需铜丝放置到竖直通道内;⑧将pdms模型i与另一个表面光滑的pdms薄片粘在一起;⑨在水平通道注入氯化钾溶液,在竖直通道注入去离子水;⑩以水平通道的铜丝为阴极,以竖直通道的铜丝为阳极进行电化学反应,将竖直的铜丝断成上下两段;移除水平通道的铜丝,用氯化氢清除通道中的氯化铜;本发明的积极效果是:形成的芯片电极表面光滑,断面基本平行,适合于电阻抗的测量。
搜索关键词: 阻抗 式微 芯片 制作方法
【主权项】:
一种阻抗式微流控芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)设计掩膜的Auto CAD文件;(2)将步骤(1)设计好的Auto CAD文件用超高精度激光打印机打印在透明掩膜板上;(3)将光刻胶甩到硅片上;(4)将透明掩膜板盖在光刻胶上并光刻显影;(5)揭掉透明掩膜板,冲洗掉未显影的光刻胶,得到主模型;(6)在显影的硅片上涂覆聚二甲基硅氧烷,在通道进出口位置放置硅管,然后在80℃温度下烘干;(7)将聚二甲基硅氧烷模型剥离主模型,将所需的铜丝放置到竖直方向的通道内;(8)在光滑的硅片上涂覆聚二甲基硅氧烷,形成表面光滑的二甲基硅氧烷模型;(9)将(7)得到的二甲基硅氧烷模型表面与(8)得到的表面光滑的二甲基硅氧烷模型经等离子体氧化后粘合在一起;(10)在水平通道内注入氯化钾溶液,在竖直通道内注入去离子水;(11)在水平通道的一个入口放置另一根铜丝,以该铜丝作为阴极,以竖直通道内的铜丝作为阳极,施加2V的直流电源,在电化学反应的作用下竖直通道内的铜丝暴露在氯化钾溶液中的部分逐渐被溶解,最终将竖直方向的铜丝断成上下两段;(12)移除水平通道内的铜丝,采用氯化氢清洗通道,清除通道中的氯化铜。
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