[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法和显示装置有效
| 申请号： | 201110421002.4 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102629038A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 铃木照晃 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法和显示装置，涉及显示装置制造领域，防止了电极狭缝边角产生的液晶反向旋转畴和向错线，从而提高了该区域的透光率。其方法包括：通过改变下层电极的形状，使上层电极的狭缝的边角与下层电极在竖直方向上不存在对应交叠，以削弱此区域的电场强度。本发明实施例用于TFT阵列基板制造。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，包括上下两层电极，其中，上层电极具有狭缝，该狭缝包括至少一对小于或等于90度的角；下层电极为一整面电极，其特征在于，所述下层电极具有缺损区域，所述缺损区域对应所述上层电极狭缝的所述小于或等于90度的角。
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