[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110418429.9 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102543752A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | S·克隆霍尔兹;G·比尔宁克;I·奥斯特麦 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该方法包含在半导体区域中形成横向邻接在晶体管的栅极电极结构的孔穴。该栅极电极结构是设置在第一硅锗合金的沟道区域上。应变诱导硅锗合金是形成在该孔穴中且与该第一硅锗合金接触。该应变诱导硅锗合金包含碳且具有与该第一硅锗合金不同的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体区域中形成横向邻接在晶体管的栅极电极结构的孔穴，其中该栅极电极结构是设置在第一硅锗合金的沟道区域上；以及在该孔穴中形成与该第一硅锗合金接触的应变诱导硅锗合金，该应变诱导硅锗合金包括碳且具有与该第一硅锗合金不同的组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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