[发明专利]一种用于硅片表面制样的表面处理及腐蚀的工艺和装置

摘要

一种用于硅片表面制样的表面处理及腐蚀的工艺和装置，工艺中含有臭氧进入密封的腐蚀腔体内，与硅片表面接触，将硅片表面氧化成致密的氧化膜工序。装置中包括：腐蚀腔体(1)、盖罩(2)，腔体内设有硅片台(4)及通臭氧或氮气入口(1-1)、由氮气作为载体的HF气体入口(1-2)、以及排气口(1-4)，还包括外设的HF容器(5)，所述的通臭氧或氮气的入口(1-1)串接阀门V2、流量调节阀MFC1，MFC1的另一端接三通，三通的一端接氮气管路，三通的另一端接臭氧管路的出口。本发明的优点是：可利用臭氧将硅片表面先形成致密的氧化膜，再将表面氧化膜进行有效的腐蚀，并使硅片表面呈疏水性，有利于下一步用液滴对硅片疏水表面的扫描和金属杂质的收集，工艺简便，装置结构紧凑，易操作，效果好。

主权项

一种用于硅片表面制样的表面处理及腐蚀的工艺：其特征在于：它包括以下步骤：(1)、将硅片放入腐蚀装置硅片台的支撑柱上，再关闭腐蚀腔体的盖子；(2)、臭氧进入密封的腐蚀腔体内，与硅片表面接触，将硅片表面氧化成致密的氧化膜，打开排气系统的阀门(V5)；(3)、用氮气将氢氟酸汽雾带入腐蚀腔体内，硅片台下方同时进行降温，使HF汽雾在硅片表面凝结反应，更好的将氧化膜腐蚀掉，多余气体经排气孔(1‑4)排入专门的酸排气管道；(4)、继续向密封的腐蚀腔体内通入氮气，腔体内不再有HF汽雾；(5)、腐蚀腔体的盖子取出硅片到下一个硅片扫描装置进行硅片表面的扫描和样本收集。