[发明专利]薄膜晶体管、画素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110409121.8 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102496625A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 卢昶鸣;蔡纶;陈佳榆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一氧化物半导体层、一栅介电层、一源极以及一漏极。栅介电层位于氧化物半导体层与栅极之间，而源极以及漏极分别与氧化物半导体层的不同部分接触，其中源极与该漏极分别具有一阶梯状侧壁，且氧化物半导体层覆盖部分阶梯状侧壁。本申请案另提供一种薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：一栅极；一氧化物半导体层；一栅介电层，位于该氧化物半导体层与该栅极之间；以及一源极与一漏极，分别与该氧化物半导体层的不同部分接触，其中该源极与该漏极分别具有一阶梯状侧壁，且该氧化物半导体层覆盖部分该阶梯状侧壁。
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