[发明专利]薄膜晶体管、画素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

一栅极；

一氧化物半导体层；

一栅介电层，位于该氧化物半导体层与该栅极之间；以及

一源极与一漏极，分别与该氧化物半导体层的不同部分接触，其中该源极与该漏极分别具有一阶梯状侧壁，且该氧化物半导体层覆盖部分该阶梯状侧壁。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅极与该栅介电层配置于一基板上，该栅介电层覆盖该栅极，而该源极与该漏极配置于该栅介电层上，且该氧化物半导体层覆盖部分该栅介电层、部分该源极以及部分该漏极。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌锡或氧化铟锡。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体层的厚度小于该源极与该漏极的厚度。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体层的厚度介于100A与2000A之间，而该源极与该漏极的厚度介于2000A与20000A之间。

6.一种画素结构，包括：

一薄膜晶体管，包括：

一栅极；

一氧化物半导体层；

一栅介电层，位于该氧化物半导体层与该栅极之间；以及

一源极与一漏极，分别与该氧化物半导体层的不同部分接触，其中该源极与该漏极分别具有一阶梯状侧壁；以及

一画素电极，与该漏极电性连接，其中该画素电极覆盖部分该阶梯状侧壁。

7.根据权利要求6所述的画素结构，其特征在于，该栅极与该栅介电层配置于一基板上，该栅介电层覆盖该栅极，而该氧化物半导体层配置于该栅介电层上，且该源极与该漏极覆盖部分该氧化物半导体层与部分该栅介电层。

8.根据权利要求6所述的画素结构，其特征在于，该氧化物半导体层与该栅介电层配置于一基板上，该栅介电层覆盖该氧化物半导体层，而该栅极配置于该栅介电层上，且该源极与该漏极与部分该氧化物半导体层接触。

9.根据权利要求8所述的画素结构，其特征在于，更包括一绝缘层覆盖该栅极与该栅介电层，其中该栅介电层与该绝缘层中具有多个接触开口，以将部分该氧化物半导体层暴露，而该源极与该漏极通过该些接触开口与部分该氧化物半导体层接触。

10.根据权利要求6所述的画素结构，其特征在于，氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌锡或氧化铟锡。

11.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

于一基板上依序形成一栅极与一栅介电层，其中该栅介电层覆盖该栅极；

于该栅介电层上形成一源极与一漏极，其中该源极与该漏极分别具有一阶梯状侧壁；以及

于该栅介电层上形成一氧化物半导体层，以覆盖该源极与该漏极的部分该阶梯状侧壁，其中该源极与该漏极分别与该氧化物半导体层的不同部分接触。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成具有该阶梯状侧壁的该源极与该漏极的方法包括：

于该栅介电层上形成一导电材料层；

于该导电材料层上形成一图案化光阻层，以将部分该导电材料层暴露；

以该图案化光阻层为罩幕，移除未被该图案化光阻层覆盖的部分该导电材料层，以于该导电材料层中形成一凹陷图案；

移除部分该图案化光阻层，以形成一残余图案化光阻层，其中该残余图案化光阻层进一步暴露出原本被该图案化光阻层所覆盖的部分该导电材料层；

以该残余图案化光阻层为罩幕，移除未被该残余图案化光阻层覆盖的部分该导电材料层直到部分该栅介电层被暴露出来为止，以形成该阶梯状侧壁。