[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110408387.0 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102544019A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;洪权;金旻秀 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够保证三维非易失性存储器件的结构稳定性的非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括：一个或多个柱状沟道插塞；多个字线和多个电介质层，所述多个字线和所述多个电介质层交替层叠以围绕所述柱状沟道插塞；存储层，所述存储层位于所述字线与所述柱状沟道插塞之间；多个字线连接部，所述多个字线连接部中的每个将所述多个字线之中的公共层中的字线的端部连接；以及多个字线延伸部，所述多个字线延伸部自所述字线连接部延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：一个或多个柱状沟道插塞；多个字线和多个电介质层，所述多个字线和所述多个电介质层交替地层叠以围绕所述柱状沟道插塞；存储层，所述存储层位于所述字线与所述柱状沟道插塞之间；多个字线连接部，所述多个字线连接部中的每个将所述多个字线之中的公共层的字线的端部连接；以及多个字线延伸部，所述多个字线延伸部自所述字线连接部延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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