[发明专利]无缺陷选择性外延的生长方法有效
| 申请号： | 201110407665.0 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165419A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 高杏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无缺陷选择性外延的生长方法，包括：1)在外延生长前，对硅片进行预处理，形成厌氧表面；2)在厌氧表面，淀积介质层后，经光刻、干法刻蚀后，形成晶向沟道侧壁和外延生长窗口；并采用炉管热氧化工艺，消耗表面硅损伤层，并通过湿法刻蚀，消除炉管生长在外延生长窗口表面的介质层；3)硅片进入外延腔体进行烘烤；4)利用含Si淀积源和含卤族元素腐蚀源的反应系统，进行选择性外延淀积，使外延生长。本发明通过对外延淀积晶向调整，并优化淀积温度及其他生长条件，生长出无缺陷表面平整的选择性外延，为平面光波导功率分路器工艺实现打下坚实基础，并且该选择性外延工艺，也可应用于其他产品。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 选择性 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种无缺陷选择性外延的生长方法，其特征在于，包括：(1)在外延生长前，对硅片进行预处理，形成厌氧表面；(2)在厌氧表面，淀积介质层后，经光刻、干法刻蚀后，形成晶向沟道侧壁和外延生长窗口；并采用在900～1200℃的炉管热氧化工艺15～60min，消耗表面硅损伤层，并通过湿法刻蚀，消除炉管生长在外延生长窗口表面的介质层；(3)硅片进入外延腔体进行烘烤；(4)利用含Si淀积源和含卤族元素腐蚀源的反应系统，进行选择性外延淀积，使外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
