[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110406813.7 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165514A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;张彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法具体包括：提供衬底，所述衬底具有待互连区域；在所述衬底表面形成超低K介质层；在所述超低K介质层内形成暴露出所述待互连区域的第一沟槽，除去所述超低K介质层的损伤区，形成第二沟槽；在所述超低K介质层表面形成低K介质层，所述低K介质层填充满所述第二沟槽；在所述低K介质层内形成互连结构，所述互连结构贯穿所述低K介质层的厚度且与待互连区域相连接。由于所述损伤区被去除，使得所述损伤区不会影响超低K介质层的介电常数，而在第二沟槽内形成有低K介质层，后续在低K介质层内形成互连结构不会影响整个介质层的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有待互连区域；位于所述衬底表面的超低K介质层，所述超低K介质层内具有暴露出所述待互连区域的第二沟槽；位于所述超低K介质层表面的低K介质层，所述低K介质层填充满第二沟槽；贯穿所述低K介质层厚度且与待互连区域相连接的互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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