[发明专利]高-介电系数金属闸极装置有效
| 申请号： | 201110405732.5 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102592979A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈学深;尹春山 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露形成半导体装置的方法。所述方法包含提供基板。所述方法更包含在基板上形成具有闸电极的闸极堆栈，包含形成金属闸电极层。在所述金属闸电极层的顶部上，形成缓冲闸电极层，以及在所述金属闸电极层上方，形成具有多硅合金的顶部闸电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 系数 金属 装置 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的方法，包括：提供基板；以及在所述基板上，形成具有闸电极的闸极堆栈，包括：形成金属闸电极层，在所述金属闸电极层的顶部，形成缓冲闸电极层，以及在所述缓冲闸电极层上方，形成具有多硅合金的顶部闸电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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