[发明专利]一种掺杂区熔单晶的制备工艺有效
| 申请号： | 201110405712.8 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103160912A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种掺杂区熔单晶的制备工艺，它包括以下步骤：(1)先将多晶硅棒磨锥，腐蚀，清洗，干燥；(2)然后将其放入化学气相沉积炉里，抽空，通纯氩气，预热，待达到所需温度时再通携带磷烷或硼烷的氩气，在气相沉积炉子里通过磷烷或硼烷气体热分解在多晶硅棒上淀积一层P或B原子，这样保持几个小时后，停止通气并停止加热；(3)让多晶随炉冷却，然后取出挂装在区熔炉里，对中，抽真空，充氩气，预热，开始拉制单晶直至收尾。本发明的优点是：本工艺既可获得N型单晶，也可获得P型单晶，单晶的电阻率大小和均匀性都符合要求，且成本较低，节省时间，同时单晶寿命较长。本工艺所拉制2-4寸掺杂单晶的电阻率均匀性在20％以内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 区熔单晶 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种掺杂区熔单晶的制备工艺，其特征在于：它包括以下步骤：(1)先将多晶硅棒磨锥，腐蚀，清洗，干燥；(2)然后将其放入化学气相沉积炉里，抽空，通纯氩气，预热，待达到所需温度时再通携带磷烷或硼烷的氩气，在气相沉积炉子里通过磷烷或硼烷气体热分解在多晶硅棒上淀积一层P或B原子，这样保持几个小时后，停止通气并停止加热；(3)、让多晶随炉冷却，然后取出挂装在区熔炉里，对中，抽真空，充氩气，预热，开始拉制单晶直至收尾。
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