[发明专利]一种掺杂区熔单晶的制备工艺有效
| 申请号： | 201110405712.8 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103160912A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 区熔单晶 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺杂区熔单晶的制备工艺，其特征在于：它包括以下步骤：
(1)先将多晶硅棒磨锥，腐蚀，清洗，干燥；
(2)然后将其放入化学气相沉积炉里，抽空，通纯氩气，预热，待达到所需温度时再通携带磷烷或硼烷的氩气，在气相沉积炉子里通过磷烷或硼烷气体热分解在多晶硅棒上淀积一层P或B原子，这样保持几个小时后，停止通气并停止加热；
(3)、让多晶随炉冷却，然后取出挂装在区熔炉里，对中，抽真空，充氩气，预热，开始拉制单晶直至收尾。
2.根据权利要求1所述的一种掺杂区熔单晶的制备工艺，其特征在于：携带磷烷或硼烷的氩气是经过混合后才注入炉膛里。
3.根据权利要求1或2所述的一种掺杂区熔单晶的制备工艺，其特征在于：CVD炉膛里P原子的淀积温度等于或大于375℃；B原子的淀积温度等于或大于500℃。
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