[发明专利]基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺有效
申请号: | 201110405263.7 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN102522445A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王旺平 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构,包括P型晶体硅,所述的P型晶体硅衬底底部具有由本征异质材料层以及N型异质材料层构成的异质结结构,所述的本征异质材料层插于N型异质材料层与P型晶体硅之间,N型异质材料层外部包裹有绝缘层,所述的绝缘层的底部设置有铝金属层;所述的P型晶体硅衬底底部两端设置有P+定域掺杂区,P+定域掺杂区的下方具有点接触的铝烧结区。本发明在保留异质结的良好钝化效果的同时,可以将光生空穴通过背结构良好导出,还能防止同质浮动结的针孔寄生回路问题。 | ||
搜索关键词: | 基于 异质结 浮动 太阳能电池 钝化 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构,包括P型晶体硅,其特征在于:所述的P型晶体硅衬底底部具有由本征异质材料层以及N型异质材料层构成的异质结结构,所述的本征异质材料层插于N型异质材料层与P型晶体硅之间,N型异质材料层外部包裹有绝缘层,所述的绝缘层的底部设置有铝金属层;所述的P型晶体硅衬底底部两端设置有P+定域掺杂区,P+定域掺杂区的下方具有点接触的铝烧结区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的