[发明专利]薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电气装置有效
| 申请号： | 201110393655.6 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102486906A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤尚 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘薇;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管形成用基板、半导体装置和电气装置，其中，薄膜晶体管形成用基板的特征在于，其具备：具有柔性或伸缩性的基板；以及埋入基板内的至少一个电子部件。电子部件至少包含IC、电容器、电阻、电感器中的一种以上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 形成 用基板 半导体 装置 电气 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管形成用基板，其特征在于，具备：具有柔性或伸缩性的基板；以及以埋入上述基板内的方式设置的至少一个电子部件。
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