[发明专利]一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法无效
| 申请号： | 201110390457.4 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102425007A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陶斯禄;蒋一岚;周春 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/64;C30B7/14;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 成实 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法，属于银纳米晶体的制备技术，主要解决了现有技术中银纳米晶体制备方法复杂、设备要求高等问题。该在硅片表面制备银纳米晶体的方法，包括以下步骤：（1）在硅片表面制备含有醛基的物质的种子层；（2）利用硅片表面的种子层进行银镜反应；（3）将银镜反应后的硅片冲洗之后自然晾干，得到银纳米晶体。本发明不仅原理简单，操作方便，成本低廉，而且能快速地制备出不同形貌的银晶体结构，其形貌可控，具有很高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 制备 纳米 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅片表面制备含有醛基的物质的种子层；（2）利用硅片表面的种子层进行银镜反应；（3）将银镜反应后的硅片冲洗之后自然晾干，得到银纳米晶体。
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