[发明专利]半导体晶片蚀刻设备有效
| 申请号： | 201110389305.2 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103137414A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 黄建光;吕亚明;徐新华;王磊;陆基益 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23F1/08;H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体晶片蚀刻设备，主要由供料装置、收料装置、蚀刻装置、控制装置和若干伺服机械手构成，所述供料装置包括用于放置蚀刻前晶片的供料晶片篮，所述收料装置包括用于放置蚀刻后晶片的收料晶片篮，所述控制装置控制所述半导体晶片蚀刻设备内所有装置的运行，若干所述伺服机械手在所述供料晶片篮、蚀刻装置和收料晶片篮之间传递晶片，该半导体晶片蚀刻设备可以实现全自动化操作，更高效高质的去除晶片表面的氧化膜；蚀刻装置可以是气体蚀刻装置，通入氟化氢气体与晶片表面接触去除氧化膜，适用于普通蚀刻和宽边蚀刻，宽边蚀刻时配合平口检测系统的平口对位以及供料伺服机械手的中心对位能够完成传统蚀刻所不能完成的宽边蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：设有供料装置、收料装置、蚀刻装置、控制装置和若干伺服机械手，所述供料装置包括用于放置蚀刻前晶片的供料晶片篮，所述收料装置包括用于放置蚀刻后晶片的收料晶片篮，所述控制装置控制所述半导体晶片蚀刻设备内所有装置的运行，若干所述伺服机械手在所述供料晶片篮、蚀刻装置和收料晶片篮之间传递晶片。
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