[发明专利]自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺

摘要

本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种制备氮化铝晶体的装置及对应的工艺。本发明提供自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺。该制备装置包括感应加热线圈、保温层、坩埚装置和坩埚升降装置，其中，坩埚装置由坩埚体、坩埚盖和盖片组成，坩埚盖上开有直径为1～2毫米的孔，盖片位于坩埚盖上方，并完全遮盖住孔，盖片的面积大小介于孔与坩埚盖之间。制备工艺包括以下两个步骤：(一)由于较低温度下氮化铝各向异性的结晶特性和孔的几何尺寸的限制，在开孔处通过自发结晶得到氮化铝单晶体以用作籽晶；(二)通过高温减弱氮化铝各向异性的结晶特性，同时通过升降装置缓慢地提拉调整坩埚的位置，在开孔处获取大尺寸的氮化铝晶体。

主权项

自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置，该装置包括感应加热线圈、保温层、坩埚装置和坩埚升降装置，其特征在于：坩埚装置中，坩埚盖上开有直径为1～2毫米的孔，盖片放置于坩埚盖上方，并完全遮盖住孔，盖片的面积介于孔与坩埚盖的面积之间，具体尺寸由生产条件确定。