[发明专利]一种高K和金属栅极的制作方法无效
| 申请号： | 201110386897.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102427032A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高K介质和金属栅极的制作方法，其特征在于，包括：步骤1，在形成有若干场隔离区的硅衬底上淀积栅极堆层，所述栅极堆层底部为高K介质，所述高K介质上方为多晶硅；步骤2，刻蚀所述栅极堆层，形成倒梯形栅极，所述倒梯形栅极位于两相邻场隔离区中间；步骤3，浅结注入并退火，源漏注入并退火，形成成对的源、漏极；步骤4，淀积介质材料覆盖所述倒梯形栅极；步骤5，以所述倒梯形栅极为停止层进行化学机械研磨；步骤6，去除位于高K介质上方的多晶硅；步骤7，淀积覆盖层覆盖介质材料以及暴露的高K介质；步骤8，淀积金属栅极材料；步骤9，制作金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高K介质和金属栅极的制作方法，其特征在于，包括：步骤1，在形成有若干场隔离区的硅衬底上淀积栅极堆层，所述栅极堆层底部为高K介质，所述高K介质上方为多晶硅；步骤2，刻蚀所述栅极堆层，形成倒梯形栅极，所述倒梯形栅极位于两相邻场隔离区中间；步骤3，浅结注入并退火，源漏注入并退火，形成成对的源、漏极；步骤4，淀积介质材料覆盖所述倒梯形栅极；步骤5，以所述倒梯形栅极为停止层进行化学机械研磨；步骤6，去除位于高K介质上方的多晶硅；步骤7，淀积覆盖层覆盖介质材料以及暴露的高K介质；步骤8，淀积金属栅极材料；步骤9，制作金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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