[发明专利]半导体晶片制造中的污染控制方法及装置

摘要

本发明公开了一种半导体晶片制造中的污染控制方法，包括以下步骤：在晶片批经过导片机时，判断晶片批所经过的前一工艺段与预设的允许导片机进行晶片批交换的前一工艺段是否相符、判断晶片批所经过的前一工艺段与晶片批所处的晶片盒的类型是否对应、并判断晶片批带有的污染标识与预设的导片机允许经过的污染标识是否相符；在上述判断结果均为是时，控制导片机执行晶片批的交换；之后将晶片批的污染标识变更为与导片机执行晶片批交换的后一工艺段对应。本发明还相应公开一种污染控制装置。本发明提供的污染控制方法及装置，实现了半导体晶片制造中的严格污染控制，能够消除晶片制造中潜在于晶片、晶片盒、工作台及它们之间的污染和交叉污染隐患。

主权项

一种半导体晶片制造中的污染控制方法，应用于包括多个工艺段的晶片生产线，各工艺段对应不同类型的晶片盒，且相邻的工艺段之间设有导片机，所述导片机用于将晶片批从前一工艺段对应类型的晶片盒交换至后一工艺段对应类型的晶片盒，其中，该方法包括以下步骤：S1.在晶片批经过所述导片机时，判断所述晶片批所经过的前一工艺段与预设的允许所述导片机进行晶片批交换的前一工艺段是否相符，判断所述晶片批所经过的前一工艺段与所述晶片批所处的晶片盒的类型是否对应，并判断所述晶片批带有的污染标识与预设的所述导片机允许经过的污染标识是否相符；S2.在上述判断结果均为是时，控制所述导片机执行所述晶片批的交换；S3.在所述导片机执行所述交换后，将所述晶片批的污染标识变更为与所述导片机执行晶片批交换的后一工艺段对应。