[发明专利]兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110382883.3 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137672A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;熊涛;孙尧;罗啸;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构及其制造方法，在硅衬底上依次包括以下的薄膜结构：栅极氧化膜、栅极多晶硅、金属钛以及氮化钛或者氮化钨、金属硅化物、自对准通孔用氮化硅；上述一系列膜整体构成MOSFET栅极膜层，亦即栅极层最终的图形纵向结构。本发明可以同时兼容SAC和表面沟道的工艺，从而既进一步缩小了器件尺寸，又降低了工作电压，提高了驱动电流，从而提高芯片整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 对准 表面 沟道 半场 效应 栅极 膜结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种兼容自对准孔和表面沟道的金‑氧‑半场效应管的栅极膜结构，其特征在于，在硅衬底上依次包括以下的薄膜结构：栅极氧化膜、栅极多晶硅、金属钛以及氮化钛或者氮化钨、金属硅化物、自对准通孔用氮化硅；上述一系列膜整体构成MOSFET栅极膜层，亦即栅极层最终的图形纵向结构。
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