[发明专利]一种倒装LED芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种倒装LED芯片的制作方法包括以下制作步骤：在P型欧姆接触层表面形成光反射层；形成N型电极形成区；形成绝缘介质膜；形成P型电极区和N型电极区；制作形成P型电极和N型电极，其中N型电极为阶梯结构，N型电极的下端穿过所述绝缘介质膜与N型层连接，N型电极的上端向P型电极的位置延伸，并且上端的N型电极与N型电极存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面；P型电极和N型电极通过锡焊的方式固定在各自的PCB板上。本发明由于把倒装LED芯片的N型电极与N型电极设置相同高度的或近似高度的共同锡焊面，因而增加了LED芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。

主权项

一种倒装LED芯片的制作方法，LED芯片从下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、有源区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）以及P型欧姆接触层（8），包括以下制作步骤：步骤01、在P型欧姆接触层（8）表面形成光反射层（9）；步骤02、形成N型电极形成区（12）；步骤03、形成绝缘介质膜（13）；步骤04、形成P型电极区（17）和N型电极区（18）；步骤05、制作形成P型电极（21）和N型电极（22），其中N型电极（22）为阶梯结构，N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接，N型电极（22）的上端向P型电极（21）的位置延伸，并且上端的N型电极（22）与P型电极（21）存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面；步骤06、P型电极（21）和N型电极（22）通过锡焊的方式固定在各自的PCB板上；步骤07、将所述衬底（1）蚀刻成上凹孔结构（26）和下凹孔结构（27）的组合体；步骤08、对倒装LED芯片进行封装。