[发明专利]快闪存储器及其制作方法

摘要

一种快闪存储器，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的源线；位于所述源线两侧的字线和字线介质层，所述字线介质层一部分位于字线下方的半导体衬底上，一部分位于字线远离源线一侧的侧壁；位于源线与字线和字线介质层间的隔离介质层；位于字线介质层远离源线一侧半导体衬底表面的厚度小于字线介质层厚度的浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅堆叠；位于控制栅表面、字线介质层远离字线的侧壁的第一侧墙；位于半导体衬底内正对源线的源区。本发明的快闪存储器，节省空间，降低了成本。

主权项

一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层、第一多晶硅层、第二介质层、第二多晶硅层和硬掩膜层；依次刻蚀硬掩膜层、第二多晶硅层、第二介质层、第一多晶硅层和第一介质层，形成暴露半导体衬底表面的开口；依次形成覆盖所述开口侧壁和底部以及硬掩膜层表面的第三介质层和第三多晶硅层；刻蚀部分所述第三多晶硅层和第三介质层，露出硬掩膜层和半导体衬底表面，在开口侧壁形成字线和字线介质层；沿所述开口进行离子注入，在暴露的半导体衬底内形成源区；在源区的半导体衬底表面形成源线和位于源线和字线之间的隔离介质层；去除所述硬掩膜层，在字线介质层远离字线的侧壁形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，依次刻蚀第二多晶硅层、第二介质层、第一多晶硅层和第一介质层露出半导体衬底表面，形成控制栅、控制栅介质层、浮栅和浮栅介质层。