[发明专利]一种监控金属层过刻蚀的方法及监控模块有效
| 申请号： | 201110373594.7 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137510A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B7/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监控金属层过刻蚀的方法及监控模块，以提高对晶圆上各组芯片模块的金属层过刻蚀情况进行监控的准确性，从而提高确定芯片模块异常的准确性与有效性。监控金属层过刻蚀的方法为：将晶圆上同时曝光的芯片模块划分到一组芯片模块中，以得到多组芯片模块；每组芯片模块包含只少两个芯片模块；针对每组芯片模块设置有至少一个监控模块，其中所述监控模块设置在该组芯片模块包含的芯片模块之间的划片道中；针对每组芯片模块，对所述每组芯片模块中的监控模块的电性能进行测试，根据测试结果确定所述每组芯片模块的金属层过刻蚀量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监控 金属 刻蚀 方法 模块 | ||
【主权项】：
一种监控金属层过刻蚀的方法，其特征在于，包括：将晶圆上同时曝光的芯片模块划分到一组芯片模块中，以得到多组芯片模块；每组芯片模块包含只少两个芯片模块；针对每组芯片模块设置有至少一个监控模块，其中所述监控模块设置在该组芯片模块包含的芯片模块之间的划片道中；针对每组芯片模块，对所述每组芯片模块对应的监控模块的电性能进行测试，根据测试结果确定所述每组芯片模块的金属层过刻蚀量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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