[发明专利]一种监控金属层过刻蚀的方法及监控模块

权利要求书

1.一种监控金属层过刻蚀的方法，其特征在于，包括：

将晶圆上同时曝光的芯片模块划分到一组芯片模块中，以得到多组芯片模块；每组芯片模块包含只少两个芯片模块；

针对每组芯片模块设置有至少一个监控模块，其中所述监控模块设置在该组芯片模块包含的芯片模块之间的划片道中；

针对每组芯片模块，对所述每组芯片模块对应的监控模块的电性能进行测试，根据测试结果确定所述每组芯片模块的金属层过刻蚀量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，监控模块通过以下步骤得到：

在划片道的硅衬底上设置多晶条；

在所述硅衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述硅衬底和所述多晶条；

对所述层间介质层进行刻蚀，以刻蚀掉覆盖在所述多晶条上的层间介质层；

在所述层间介质层上沉积金属层，所述金属层覆盖所述多晶条和所述层间介质层；

对所述金属层进行刻蚀，以蚀刻掉覆盖在所述多晶条上的金属层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述硅衬底上形成层间介质之前，还包括：

在所述多晶条中光刻注入轻掺杂漏LDD、N型重掺杂NPLUS和P型重掺杂PPLUS。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述每组芯片模块对应的监控模块的电性能进行测试，根据测试结果确定所述每组芯片模块的金属层过刻蚀量，具体包括：

测量所述监控模块中进行金属刻蚀之后的多晶条的第一电阻值；

根据所述第一电阻值与未进行金属刻蚀之前的所述多晶条的第二电阻值，确定出所述监控模块对应的金属层过刻蚀量；

根据所述监控模块的金属层过刻蚀量确定出所述每组芯片模块的金属层过刻蚀量。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

当所述每组芯片模块的金属层过刻蚀量大于设置的刻蚀量阈值时，确定对所述每组芯片模块进行金属刻蚀发生异常，否则确定正常。

6.一种制作用于监控芯片模块金属层过刻蚀的监控模块的方法，其特征在于，包括：

在晶圆的划片道的硅衬底上设置多晶条；

在所述硅衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述硅衬底和所述多晶条；

对所述层间介质层进行刻蚀，以刻蚀掉覆盖在所述多晶条上的层间介质层；

在所述层间介质层上沉积金属层，所述金属层覆盖所述多晶条和所述层间介质层；

对所述金属层进行刻蚀，以蚀刻掉覆盖在所述多晶条上的金属层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述硅衬底上形成层间介质之前，还包括：

在所述多晶条中光刻注入轻掺杂漏LDD、N型重掺杂NPLUS和P型重掺杂PPLUS。

8.一种用于监控芯片模块金属层过刻蚀的监控模块，其特征在于，包括：

设置有多晶条的硅衬底，所述硅衬底为晶圆上的划片道对应的硅衬底；

设置在所述硅衬底上的层间介质层，所述层间介质层覆盖在所述硅衬底上没有设置多晶条的区域且不覆盖所述多晶条；

设置在所述层间介质上的金属层，所述金属层不覆盖所述多晶条。

9.如权利要求8所述的监控模块，其特征在于，所述多晶条中光刻注入有轻掺杂漏LDD、N型重掺杂NPLUS和P型重掺杂PPLUS。