[发明专利]一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110366515.X | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102629585A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 宁策;张学辉;杨静 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法。所述制造方法包括：步骤A、形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤B、形成有源层和栅绝缘层，以及用于数据线与外部电路连接的过孔；步骤C、形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，或者，形成栅电极、栅线和公共电极的图形。本发明采用三次构图工艺实现了阵列基板的制造，从而能够缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显示装置 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤A、形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤B、形成有源层和栅绝缘层，以及用于数据线与外部电路连接的过孔；步骤C、形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，或者，形成栅电极、栅线和公共电极的图形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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