[发明专利]一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤A、形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；

步骤B、形成有源层和栅绝缘层，以及用于数据线与外部电路连接的过孔；

步骤C、形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，或者，形成栅电极、栅线和公共电极的图形。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述步骤A包括：在基板上形成第一层透明导电薄膜，通过构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；

所述步骤B包括：形成有源层和栅绝缘层，通过构图工艺形成用于数据线与外部电路连接的过孔；

所述步骤C包括：形成第二层透明导电薄膜，通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，或者，通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极的图形。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形，包括：

在第一层透明导电薄膜上形成一层光刻胶；

采用灰色调或半色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一层透明导电薄膜，形成源电极、漏电极和数据线的图形；

通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，保留光刻胶保留区域的光刻胶；

对光刻胶部分保留区域的第一层透明导电薄膜进行刻蚀，使得该部分的第一层透明导电薄膜变薄，形成像素电极的图形；

剥离剩余的光刻胶。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成用于数据线与外部电路连接的过孔，包括：

在栅绝缘层上形成一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅绝缘层和有源层，形成过孔的图形；

剥离剩余的光刻胶。

5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，包括：

在第二层透明导电薄膜上形成一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二层透明导电薄膜，形成栅电极、栅线和公共电极线的图形；

剥离剩余的光刻胶。

6.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极的图形，包括：

在第二层透明导电薄膜上形成一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二层透明导电薄膜，形成栅电极、栅线和公共电极的图形；

剥离剩余的光刻胶。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述公共电极为狭缝状。

8.如权利要求1至7中任一项所述的制造方法，其特征在于：

所述有源层的材料为氧化物。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

透明导电薄膜，形成在基板上，作为源电极与漏电极，所述源电极和所述漏电极之间形成有沟道区；

氧化物作为有源层，形成在源电极、漏电极和沟道区上；

依次形成在有源层上的栅绝缘层和栅电极，所述栅电极的材料为透明导电薄膜。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：

形成在基板上的源电极、漏电极、数据线和像素电极，所述源电极和所述漏电极之间形成有沟道区，所述漏电极和所述像素电极电性连接，所述数据线通过过孔与外部电路连接，所述像素电极的形状覆盖整个像素区；

形成在源电极、漏电极、数据线和像素电极上的有源层；

形成在有源层上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的栅电极、栅线和公共电极线，或者，形成在栅绝缘层上的栅电极、栅线和公共电极，所述公共电极为狭缝状。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于：

所述有源层的材料为氧化物。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10或11所述的阵列基板。