[发明专利]一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。由于非晶硅(a-Si)易于在低温下大面积制备，技术成熟，成为在TFT-LCD中最广泛使用的有源层材料。但非晶硅材料带隙只有1.7V，对可见光不透明，并且在可见光范围内具有光敏性，需要增加黑矩阵来阻挡光线，这增加了TFT-LCD的工艺复杂性，提高了成本，降低了可靠性和开口率。

另外，随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动电路的频率在不断提高，由于非晶硅薄膜晶体管的迁移率一般在0.5cm²/VS左右，而液晶显示器尺寸超过80in时，驱动频率超过120Hz，需要1cm²/VS以上的迁移率，现有的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足需求。

氧化物半导体薄膜晶体管以其诸多优势受到研究人员的青睐，最近几年发展迅速。它迁移率高，均一性好，透明，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和OLED的需求。但现有氧化物半导体薄膜晶体管，利用底栅型至少需要四次构图工艺完成，并且需要阻挡层(ESL)及保护层(PVX)多层保护才能保证薄膜晶体性能的稳定，其工艺复杂，制造成本高。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法，采用三次构图工艺实现阵列基板的制造，从而缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。

为了实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

步骤A、形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；

步骤B、形成有源层和栅绝缘层，以及用于数据线与外部电路连接的过孔；

步骤C、形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，或者，形成栅电极、栅线和公共电极的图形。

上述的制造方法，其中：

所述步骤A包括：在基板上形成第一层透明导电薄膜，通过构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；

所述步骤B包括：形成有源层和栅绝缘层，通过构图工艺形成用于数据线与外部电路连接的过孔；

所述步骤C包括：形成第二层透明导电薄膜，通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，或者，通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极的图形。

上述的制造方法，其中，所述通过构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形，包括：

在第一层透明导电薄膜上形成一层光刻胶；

采用灰色调或半色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一层透明导电薄膜，形成源电极、漏电极和数据线的图形；

通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，保留光刻胶保留区域的光刻胶；

对光刻胶部分保留区域的第一层透明导电薄膜进行刻蚀，使得该部分的第一层透明导电薄膜变薄，形成像素电极的图形；

剥离剩余的光刻胶。

上述的制造方法，其中，所述通过构图工艺形成用于数据线与外部电路连接的过孔，包括：

在栅绝缘层上形成一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅绝缘层和有源层，形成过孔的图形；

剥离剩余的光刻胶。

上述的制造方法，其中，所述通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极线的图形，包括：

在第二层透明导电薄膜上形成一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二层透明导电薄膜，形成栅电极、栅线和公共电极线的图形；

剥离剩余的光刻胶。

上述的制造方法，其中，所述通过构图工艺形成栅电极、栅线和公共电极的图形，包括：

在第二层透明导电薄膜上形成一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域；

进行显影处理；

刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二层透明导电薄膜，形成栅电极、栅线和公共电极的图形；

剥离剩余的光刻胶。

上述的制造方法，其中，所述公共电极为狭缝状。