[发明专利]一种自组装制备内嵌金属量子点绝缘介质膜的方法无效
| 申请号： | 201110364888.3 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102509701A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 裴艳丽;王钢 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自组装制备内嵌金属量子点绝缘介质膜的方法。本发明采用磁控溅射的方法在室温下制备金属量子点绝缘介质膜。靶材由绝缘靶材其上摆放金属小块构成，然后通过共溅射，室温下即可获得纳米尺寸的、均匀分布于绝缘介质膜中的金属量子点。根据靶材中金属小块的选择和绝缘靶材的选择可以实现不同种金属量子点和不同种绝缘介质的制备。该制备方法简单、对设备要求低、适合多种金属量子点和多种绝缘介质的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组装 制备 金属 量子 绝缘 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种自组装制备内嵌金属量子点绝缘介质膜的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）选取绝缘靶材，并在绝缘靶材上摆放金属块，所述金属块为Co, W, Pt, 或Ta；（2）对上述靶材进行溅射成膜，溅射气氛为氩气，衬底为热氧化二氧化硅的p型硅片。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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