[发明专利]用于增加未对准鳍的鳍式器件密度的方法和器件

摘要

公开了一种用于通过具有平面型晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。将多个延长芯棒限定在多个有源区域中。在相邻有源区域部分平行并在规定的最小间距内的情况下，将连接元件添加至位于相邻有源区域之间的空间的一部分，从而从一个有源区域至另一有源区域连接芯棒端部。

主权项

一种生成器件布局的半导体制造方法，包括：接收第一布局，所述第一布局包括多个有源区域，每个有源区域具有边；对于所述多个有源区域中的每个，限定多个延长芯棒，所述多个延长芯棒均在第一方向上延伸并在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此隔开，根据栅电极的延长方向选择所述第一方向；确定在部分平行有源区域的相邻对之间的最近边之间的所述第一方向上的最小距离；对于具有小于规定的最小间距的最小距离的部分平行有源区域的每个相邻对，连接延长芯棒对的最近端部的至少一部分，每个芯棒对来自部分平行有源区域的相邻对的不同有源区域；以及使用布局生成器生成第二布局，所述第二布局包括：所述多个有源区域；多个延长芯棒，位于所述多个有源区域中；以及连接元件，位于部分平行有源区域的至少一个相邻对的有源区域之间。