[发明专利]形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法及形成结构

摘要

本发明提供一种形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法，包括由该方法所形成的1T-DRAM结构，1T-DRAM结构包括：一半导体基板、一埋氧层，所述埋氧层覆盖在半导体基板上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在埋氧层上，所述P型硅层上设有由STI分隔开的NMOS器件，其中所述NMOS器件中的沟道为P型SiGe，所述NMOS器件中的源区为N+-SiC、漏区为N+-SiGe。本发明与现有技术相比，形成基于P-SiGe体区+N+-SiC源区+N+-SiGe漏区的1T-DRAM单元可以有效降低工作电压，同时又增大了读“0”和读“1”之间输出电流差额，即可增大了信号裕度。

主权项

一种形成绝缘体上碳硅‑锗硅异质结1T‑DRAM结构的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在SOI晶片上淀积一层硬掩膜层，对所述硬掩膜层进行光刻和刻蚀，在硬掩膜层上形成第一开口，所述第一开口中暴露出P型硅层；步骤2：对第一开口中暴露出的P型硅层进行刻蚀，刻蚀至埋氧层上仅存一薄层P型硅层为止；步骤3：对第一开口内进行SiGe选择性外延生长，使第一开口内生长满Si1‑xGex层，其中X为介于1和0之间且不包括0的数字；步骤4：刻蚀除去除硬掩膜层，对整个晶片表面进行全局化的氧化处理，待Si1‑xGex层中锗含量达到设定摩尔比后停止氧化；步骤5：刻蚀除去由于氧化在P型硅板上形成的SiO2层，并在露出P型硅片和P‑SiGe层的表面外延一层Si薄膜层；步骤6：在晶片上制备浅槽隔离和NMOS器件，所述NMOS器件中形成N+‑SiC源区和N+‑SiGe漏区；步骤7：在晶片上覆盖一层光刻胶层，对光刻胶层进行光刻形成第二开口，所述第二开口中暴露出N+‑SiC源区；对第二开口中进行碳离子注入；步骤8：去除晶片上多余光刻胶，进行退火工艺激活注入离子，形成N+‑SiC源区。