[发明专利]形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法及形成结构

权利要求书

1.一种形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：

步骤1：在SOI晶片上淀积一层硬掩膜层，对所述硬掩膜层进行光刻和刻蚀，在硬掩膜层上形成第一开口，所述第一开口中暴露出P型硅层；

步骤2：对第一开口中暴露出的P型硅层进行刻蚀，刻蚀至埋氧层上仅存一薄层P型硅层为止；

步骤3：对第一开口内进行SiGe选择性外延生长，使第一开口内生长满Si_1-xGe_x层，其中X为介于1和0之间且不包括0的数字；

步骤4：刻蚀除去除硬掩膜层，对整个晶片表面进行全局化的氧化处理，待Si_1-xGe_x层中锗含量达到设定摩尔比后停止氧化；

步骤5：刻蚀除去由于氧化在P型硅板上形成的SiO₂层，并在露出P型硅片和P-SiGe层的表面外延一层Si薄膜层；

步骤6：在晶片上制备浅槽隔离和NMOS器件，所述NMOS器件中形成N⁺-SiC源区和N⁺-SiGe漏区；

步骤7：在晶片上覆盖一层光刻胶层，对光刻胶层进行光刻形成第二开口，所述第二开口中暴露出N⁺-SiC源区；对第二开口中进行碳离子注入；

步骤8：去除晶片上多余光刻胶，进行退火工艺激活注入离子，形成N⁺-SiC源区。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅材料。

3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤4中刻蚀为湿法刻蚀。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤4中刻蚀为湿法刻蚀。

5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述NMOS器件为PDNMOS器件。

6.一种由权利要求1所述方法形成的1T-DRAM结构，其特征在于，包括：

一半导体基板、一埋氧层，所述埋氧层覆盖在半导体基板上；

一P型硅层，所述P型硅层覆盖在埋氧层上，所述P型硅层上设有由STI分隔开的NMOS器件，其中所述NMOS器件中的沟道为P型SiGe，所述NMOS器件中的源区为N⁺-SiC、漏区为N⁺-SiGe。

7.根据权利要求6所述的1T-DRAM结构，其特征在于，所述NMOS器件中的栅极和侧墙之间设有侧墙阻挡层。

8.根据权利要求6所述的1T-DRAM结构，其特征在于，所述NMOS器件为PDNMOS器件。