[发明专利]氮化物半导体发光元件无效
| 申请号： | 201110349704.6 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102468389A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种氮化物半导体发光元件，其包括：在基板上形成的n型氮化物半导体层、在该n型氮化物半导体层上形成的发光层、以及在该发光层上形成的p型氮化物半导体层；n型氮化物半导体层为一层或两层以上层叠而成的结构；构成n型氮化物半导体层的至少一层含有作为n型掺杂剂的Si和Sn，并且含有作为等电子掺杂剂的In。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：在基板上形成的n型氮化物半导体层，在所述n型氮化物半导体层上形成的发光层，以及在所述发光层上形成的p型氮化物半导体层；所述n型氮化物半导体层是一层或两层以上层叠而成的结构；构成所述n型氮化物半导体层的至少一层中含有作为n型掺杂剂的Si和Sn，并且含有作为等电子掺杂剂的In。
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