[发明专利]三极管的制备方法以及使用该方法制备的三极管有效
| 申请号： | 201110349615.1 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094103A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王黎 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三极管的制备方法以及使用该方法制备的三极管，属于三极管（BipolarTransistor）技术领域。该三极管的制备方法中，通过在所述半导体衬底的背面上掺杂以形成第二晶格缺陷；所述第二晶格缺陷用于吸附所述三极管的器件区域中的第一晶格缺陷和/或可动离子。该方法制备的三极管包括位于所述半导体衬底背面的辅助掺杂区，其具有掺杂形成的第二晶格缺陷。该三极管的性能好，并且同批次制备的三极管的器件性能均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 制备 方法 以及 使用 | ||
【主权项】：
一种三极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底并在所述半导体衬底上构图形成所述三极管的基区、集电区和发射区，所述基区和发射区构图形成于所述半导体衬底的正面；以及通过在所述半导体衬底的背面上掺杂以形成第二晶格缺陷；其中，所述第二晶格缺陷用于吸附所述三极管的器件区域中的第一晶格缺陷和/或可动离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
