[发明专利]三极管的制备方法以及使用该方法制备的三极管

权利要求书

1.一种三极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底并在所述半导体衬底上构图形成所述三极管的基区、集电区和发射区，所述基区和发射区构图形成于所述半导体衬底的正面；以及

通过在所述半导体衬底的背面上掺杂以形成第二晶格缺陷；

其中，所述第二晶格缺陷用于吸附所述三极管的器件区域中的第一晶格缺陷和/或可动离子。

2. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂为扩散掺杂或离子注入掺杂。

3. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂为扩散掺杂时，其包括以下步骤：

（1）在半导体衬底的表面生长牺牲氧化层；

（2）在半导体衬底正面涂光刻胶作为保护层；

（3）湿法去除半导体衬底的背面的牺牲氧化层；

（4）去除所述光刻胶； 

（5）在扩散炉的炉管中进行扩散掺杂；以及

（6）湿法去除所有牺牲氧化层。

4. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂为离子注入掺杂时，其包括以下步骤：

（1）光刻胶构图定义掺杂区域；

（2）离子注入掺杂；

（3）去除所述光刻胶；以及

（4）退火。

5. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在构图形成于所述基区和发射区之前，所述集电区构图形成于所述半导体衬底的背面。

6. 如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述辅助掺杂区在所述集电区上形成。

7. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述集电区构图形成于所述半导体衬底的正面。

8. 如权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述辅助掺杂区与所述集电区为相同导电类型掺杂，所述辅助掺杂区的掺杂浓度为所述发射区的掺杂浓度的三倍或三倍以上。

9. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述三极管为功率三极管。

10. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述三极管的器件区域主要是指基区以及基区与发射区的界面处。

11. 一种三极管，包括形成于半导体衬底之上的基区、集电区和发射区，所述基区和发射区构图形成于所述半导体衬底的正面；其特征在于，所述三极管还包括位于所述半导体衬底背面的辅助掺杂区；

其中，所述辅助掺杂区中包含多个通过掺杂形成的第二晶格缺陷，所述第二晶格缺陷用于吸附所述三极管的器件区域中的第一晶格缺陷和/或可动离子。

12. 如权利要求11所述的三极管，其特征在于，所述基区为第一导电类型掺杂，所述集电区、发射区和辅助掺杂区为第二导电类型掺杂。

13. 如权利要求11所述的三极管，其特征在于，所述集电区构图形成于所述半导体衬底的背面，所述辅助掺杂区在所述集电区上形成。

14. 如权利要求11所述的三极管，其特征在于，所述集电区构图形成于所述半导体衬底的正面。

15. 如权利要求13或14所述的三极管，其特征在于，所述辅助掺杂区与所述集电区为相同导电类型掺杂，所述辅助掺杂区的掺杂浓度为所述发射区的掺杂浓度的三倍或三倍以上。

16. 如权利要求11所述的三极管，其特征在于，所述三极管为功率三极管。

17. 如权利要求11所述的三极管，其特征在于，所述三极管的器件区域主要是指基区以及基区与发射区的界面处。