[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110338442.3 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094186A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的金属层；位于所述金属层表面的介质层；位于所述金属层表面、所述介质层内的互连结构；位于所述金属层表面、所述介质层内的空气间隙，所述空气间隙具有上窄下宽的结构。本发明实施例的半导体结构形成方法半导体制程兼容性好，制造过程简单，本发明实施例的半导体结构性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有金属层；在所述金属层表面形成至少为两个牺牲凸起，所述牺牲凸起的截面为梯形或三角形；形成覆盖所述牺牲凸起的介质层；在所述牺牲凸起之间的介质层内形成暴露出金属层的开口；在所述介质层表面形成填充所述开口的金属薄膜；平坦化所述金属薄膜直至暴露出所述牺牲凸起；去除所述牺牲凸起形成空气间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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