[发明专利]一种纳米级PSS衬底制作方法有效
| 申请号： | 201110330648.1 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102447024A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周武;罗红波;张建宝;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种纳米级PSS衬底制作方法，在蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜，在SiO2膜沉积一层金属Al，用一种弱碱性的化学溶液，在SiO2膜表面上生成均匀的铝氧化物纳米颗粒，用干法刻蚀去掉未被铝氧化物挡住的SiO2膜，这样将均匀的铝氧化物纳米颗粒图形转移到SiO2膜层，然后放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀，再一次将均匀纳米状的SiO2颗粒图形转移到蓝宝石衬底上，最后用HF酸去掉SiO2膜，从而形成纳米级PSS衬底。此发明可以改善LED芯片外量子效应，制作成本低，生产高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 pss 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级PSS衬底制作方法，制备步骤如下： (a) 蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜；(b) 在SiO2膜上蒸发一层金属铝；(c) 将步骤b蒸发一层金属铝的衬底浸泡在弱碱性的化学溶液中，进行化学作用，SiO2膜表面上留下均匀的铝氧化物纳米颗粒；(d)在c步骤化学作用后，再干法刻蚀掉未能被铝氧化物纳米颗粒挡住的SiO2膜, 将铝氧化物颗粒图形转移到SiO2膜层，形成纳米状的SiO2颗粒；(e)在d步骤后再放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀掉未被SiO2颗粒挡住的蓝宝衬底；(f)在e步骤后用HF酸去掉SiO2掩膜，形成纳米级PSS衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110330648.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热水器的气体供应接口
- 下一篇：一种LED灯泡
