[发明专利]一种纳米级PSS衬底制作方法有效
| 申请号： | 201110330648.1 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102447024A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周武;罗红波;张建宝;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 pss 衬底 制作方法 | ||
1.一种纳米级PSS衬底制作方法，制备步骤如下：
(a) 蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜；
(b) 在SiO2膜上蒸发一层金属铝；
(c) 将步骤b蒸发一层金属铝的衬底浸泡在弱碱性的化学溶液中，进行化学作用，SiO2膜表面上留下均匀的铝氧化物纳米颗粒；
(d)在c步骤化学作用后，再干法刻蚀掉未能被铝氧化物纳米颗粒挡住的SiO2膜, 将铝氧化物颗粒图形转移到SiO2膜层，形成纳米状的SiO2颗粒；
(e)在d步骤后再放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀掉未被SiO2颗粒挡住的蓝宝衬底；
(f)在e步骤后用HF酸去掉SiO2掩膜，形成纳米级PSS衬底。
2.根据权利要求1所述纳米级PSS衬底制作方法，其特征在于：（a）步骤蓝宝石衬底上用PECVD设备沉积一层SiO2膜，厚度2000～5000埃。
3.根据权利要求1所述的纳米级PSS衬底制作方法，其特征在于：（b）步骤在SiO2膜上蒸发一层金属铝，厚度500～1000埃。
4.根据权利要求1所述的纳米级PSS衬底制作方法，其特征在于：（c）步骤将步骤b蒸发一层金属铝的衬底浸泡在0.5～2%碱性的化学溶液中，浸泡2～5分钟，SiO2膜表面上生成均匀50～300埃的铝氧化物纳米颗粒。
5.根据权利要求1所述的纳米级PSS衬底制作方法，其特征在于：（d）在c步骤化学作用后，再RIE设备 参数：CF4:30～60sccm；反应压力：20～100mTorr；功率：300～500W, 刻蚀时间：10～30分钟，刻蚀掉未能被铝氧化物纳米颗粒挡住的SiO2膜, 将均匀的纳米状的铝氧化物颗粒图形转移到SiO2膜层，形成纳米状的SiO2颗粒。
6.根据权利要求1所述的纳米级PSS衬底制作方法，其特征在于：(e)在d步骤后再放入230～350℃温度的硫酸与磷酸混合溶液H2SO4: H3PO4=3:1中腐蚀约10～30分钟，腐蚀掉未被SiO2颗粒挡住的蓝宝衬底。
7.根据权利要求1所述的纳米级PSS衬底制作方法，其特征在于：（f）在e步骤后用HF酸腐蚀10～30分钟，去掉SiO2掩膜，形成纳米级PSS衬底。
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