[发明专利]一种MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110329077.X | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103077969A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;王忠忠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOS器件及其制造方法。所述器件包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的沟道；形成在沟道上的栅堆叠以及围绕所述栅堆叠的侧墙；以及形成在侧墙两侧的衬底中的源/漏极；其中所述栅堆叠由绝缘层和其上的多层金属栅构成，所述多层金属栅由用于向所述沟道引入应力的应变金属层、用于调节金属栅的功函数的功函数调节层构成，所述功函数调节层从底部与侧面围绕应变金属层。多层金属栅结构克服了常规的应变金属栅材料不能同时满足功函数调节和施加的应变效果最优化的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件，包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的沟道；形成在沟道上的栅堆叠以及围绕所述栅堆叠的侧墙；以及形成在侧墙两侧的衬底中的源/漏极；其中所述栅堆叠由绝缘层和其上的多层金属栅构成，所述多层金属栅由用于向所述沟道引入应力的应变金属层、用于调节金属栅的功函数的功函数调节层构成，所述功函数调节层从底部与侧面围绕应变金属层。
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