[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201110328364.9 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102456675A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 沈载株;金敬勋;李云京;赵源锡;赵厚成;朴镇泽;金种衍;黄盛珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L27/115;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及三维半导体器件。该器件可以包括包含栅图案和绝缘图案的层叠图案。层叠图案还可以包括第一部分和第二部分，并且层叠结构的第二部分可以具有比第一部分窄的宽度。该器件还可以包括穿过层叠结构的有源图案。该器件还可以包括与层叠结构相邻的公共源极区。该器件可以另外包括在公共源极区上的带接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种三维半导体存储器件，包括：在基板上沿第一方向延伸的层叠结构，所述层叠结构包括交替并重复地层叠的栅图案和绝缘图案，所述层叠结构包括第一部分和第二部分，在基本垂直于所述第一方向的第二方向上所述层叠结构的所述第二部分具有比所述第一部分窄的宽度；穿过所述层叠结构的多个竖直有源图案；多层电介质层，在所述多个竖直有源图案的侧壁之一与相应的各所述栅图案之间；在与所述层叠结构的一侧相邻的所述基板中的公共源极区；以及在所述公共源极区上的带接触插塞，其中所述带接触插塞与所述层叠结构的所述第二部分相邻。
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