[发明专利]一种制造存储器装置及存储单元的方法无效
| 申请号： | 201110327204.2 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437115A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李明道;赖二琨;谢光宇;简维志;叶建宏 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/10;H01L27/102;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造存储器装置及存储单元的方法。此处所描述的制造存储器装置的方法包括：形成一底电极；形成一金属-氧化物存储元件其与该底电极电性耦接；裸露该金属-氧化物存储元件至一气体环境包含氮、氢、氦至少一种，其温度超过100℃；以及形成一顶电极于该金属-氧化物存储元件之上。该存储器装置包括多个存储单元位于字线与位线之间。该多个存储单元的存储单元包括一二极管以及一金属-氧化物存储元件可编程至多个电阻状态，其包含一第一电阻状态与一第二电阻状态。此装置还包括偏压电路以施加调整偏压跨越于该多个存储单元中的一个被选取存储单元的该串联安排的该二极管与该存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 存储器 装置 存储 单元 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一存储器装置的方法，其特征在于，该方法包括：形成一底电极；形成一金属‑氧化物存储元件其与该底电极电性耦接；裸露该金属‑氧化物存储元件至一气体环境包含氮、氢、氦至少一种，其温度超过100℃；以及形成一顶电极于该金属‑氧化物存储元件之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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