[发明专利]一种金属薄膜电阻结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110321426.3 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102324427A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 左青云;康晓旭;曾少海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属薄膜电阻结构及其制造方法，其增加一张光刻掩模板便可形成金属薄膜电阻结构，其中，金属薄膜电阻与下层金属铜互连线连接，防止了现有技术在形成上层金属铜互连线时会对金属薄膜电阻造成刻蚀损伤的问题，从而提高了所形成的金属薄膜电阻的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 薄膜 电阻 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属薄膜电阻结构，其特征在于，包括：绝缘层，所述绝缘层中形成有下层金属铜互连线；盖帽层，所述盖帽层位于所述绝缘层及下层金属铜互连线上，所述盖帽层上形成有窗口，所述窗口露出部分绝缘层及部分下层金属铜互连线的顶壁；金属薄膜电阻，所述金属薄膜电阻位于所述窗口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
