[发明专利]一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法有效
| 申请号： | 201110321377.3 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102361015A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 汪新学 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其中，所述双大马士革工艺包括：刻蚀材料层形成深孔；形成BARC层，以覆盖所述深孔及材料层；对所述BARC层进行反刻蚀，以去除所述深孔外的BARC层；所述深孔形貌监测方法包括：监测深孔顶部的直径；及监测对所述BARC层进行反刻蚀工艺的用时。通过监测深孔顶部的直径；及监测对所述BARC层进行反刻蚀工艺的用时来进行深孔形貌监测，从而以及时发现深孔的形貌发生偏差，提高深孔形貌监测的可靠性。此外，本发明提供的深孔形貌监测方法，在现有的双大马士革工艺中并不增加任何工艺，从而能够很好地应用于现有的双大马士革工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 大马士革 工艺 形貌 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其中，所述双大马士革工艺包括：刻蚀材料层形成深孔；形成BARC层，以覆盖所述深孔及材料层；对所述BARC层进行反刻蚀，以去除所述深孔外的BARC层；其特征在于，所述深孔形貌监测方法包括：监测深孔顶部的直径；及监测对所述BARC层进行反刻蚀工艺的用时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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