[发明专利]一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法

权利要求书

1.一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其中，所述双大马士革工艺包括：

刻蚀材料层形成深孔；

形成BARC层，以覆盖所述深孔及材料层；

对所述BARC层进行反刻蚀，以去除所述深孔外的BARC层；

其特征在于，所述深孔形貌监测方法包括：

监测深孔顶部的直径；及

监测对所述BARC层进行反刻蚀工艺的用时。

2.如权利要求1所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，在刻蚀材料层形成深孔的步骤之后，执行监测深孔顶部的直径的步骤。

3.如权利要求1所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，若对所述BARC层进行反刻蚀工艺的用时为标准用时，则所述深孔为标准形貌。

4.如权利要求1所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，若对所述BARC层进行反刻蚀工艺的用时大于或者小于标准用时，则所述深孔为偏差形貌。

5.如权利要求1至3中的任一项所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，采用找刻蚀终点的方式，以控制对所述BARC层进行反刻蚀的刻蚀时间。

6.如权利要求5所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，监测对所述BARC层进行反刻蚀工艺的用时包括：

监测所述找刻蚀终点的用时。

7.如权利要求6所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，所述材料层包括靠近BARC层的顶层材料及远离BARC层的底层材料。

8.如权利要求7所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，若所述顶层材料为硅氧化合物，则采用监控对碳氧信号敏感的波长的信号强弱变化来找刻蚀终点。

9.如权利要求8所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，所述硅氧化合物包括：TEOS和/或FSG。

10.如权利要求8所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，所述对碳氧信号敏感的波长包括：长度为4835埃的波长。

11.如权利要求7所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，若所述顶层材料为硅氮化合物，则采用监控对碳氮信号敏感的波长的信号强弱变化来找刻蚀终点。

12.如权利要求11所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，所述硅氮化合物包括：SiON和/或SiN。

13.如权利要求11所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，所述对碳氮信号敏感的波长包括：长度为3865埃的波长。

14.如权利要求1至3中的任一项所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，所述深孔的深宽比大于3。

15.如权利要求1至3中的任一项所述的应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法，其特征在于，所述BARC层的材料为碳原子为主体的有机抗反射膜。