[发明专利]一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110317165.8 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102332474A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王丽;苏雪琼;孙睿;包传辰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/26;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法，属于二极管技术领域。分别采用化学气相沉积法、脉冲激光沉积法和热蒸镀法依次从下至上分别将SiO2、N型InGaZnO和Al沉积在N型硅衬底上。本发明肖特基二极管器件反向击穿电压大，反向漏电流小，价格低廉、制备工艺简单的铟镓锌氧化物肖特基二极管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓锌 氧化物 肖特基 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件，其特征在于，它是在硅衬底上，自下而上依次沉积n‑SiO2稳定层、n‑InGaZnO层和肖特基金属铝电极层而构成，并在硅衬底下部和肖特基金属铝电极层上部用欧姆接触电极引出导线。
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